为何高玩选内存不看频率看时序？一文读懂内存时序

发布时间：2022-03-04 12:54:46 所属栏目：产品来源：互联网

导读：DDR5内存的问世，让更多人开始关注内存产品在频率上的更新换代，动辄5000MHz起步的高频设计，确实在数值上给人以震撼和惊艳，也似乎成为了很多用户选购内存产品的不二标准。从而忽视了在内存产品中，一个极为重要的参数设计，即时序。也就是各大内存产品上

　　DDR5内存的问世，让更多人开始关注内存产品在频率上的更新换代，动辄5000MHz起步的高频设计，确实在数值上给人以震撼和惊艳，也似乎成为了很多用户选购内存产品的不二标准。

　　从而忽视了在内存产品中，一个极为重要的参数设计，即时序。

　　也就是各大内存产品上标注的“40-40-40-77”的一连串数值，有高有低。
　　
　　为啥高玩选内存不看频率看时序？一文读懂内存时序

　　它们分别都有着特定的代号，按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，这四个代号全是缩写，第一个CL，即CAS Latency，它描述的是内存列地址访问的延迟时间，这也是时序中最重要的参数。

　　第二个tRCD，即RAS to CAS Delay，是指内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个tRP，即RAS Precharge Time，表示内存行地址选通脉冲预充电时间；第四个tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的时间。

　　时序是如何影响工作

　　理解了主要的时序含义之后，我们还需要明白内存和CPU之间的联结原理，才能真正明白主要时序对于内存性能的影响。

　　通常情况下，CPU的工作流程是下达一个寻址指令，内存会快速搜索和寻址存在缓存内的文件，我们将寻址的过程想象成在一个有列有行的围棋格上。

　　当CPU下达搜索A文件时，内存需要要先确定数据具体在围棋格子中的哪一行，那么时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，简单来说就是是内存收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。

　　至于第三个参数，指的是确认了第一行数值后，再确定另外一行所需要等待的时间（时间周期）。

　　第四个tRAS部分，则是指整个内存完成命令后的总和，它的数值约等于前三个数值的总和，当然时序越高的情况下，他们的差异越巨大。
　　

（编辑：航空爱好网）

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