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中科院在 CAA 新结构的 3D DRAM 研究获得创新进展

发布时间：2023-01-10 10:00:19 所属栏目：动态来源：网络

导读： 　　据中科院微电子研究所消息，随着尺寸的不断微缩，1T1C 结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统 1T1C-DRAM 面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的 2T0C